| 型号：CRCW25121R78FNTG | 类别：芯片电阻 - 表面安装 | 制造商：Vishay Dale |
| 封装：2512（6432 公制） | 描述：RES 1.78 OHM 1W 1% 2512 SMD | |
详细参数
| 类别 | 芯片电阻 - 表面安装 |
|---|---|
| 描述 | RES 1.78 OHM 1W 1% 2512 SMD |
| 系列 | CRCW |
| 制造商 | Vishay Dale |
| 电阻（Ω） | 1.78 |
| 功率（W） | 1W |
| 成分 | 厚膜 |
| 特性 | 获得 AEC-Q200 汽车认证 |
| 温度系数 | ±200ppm/°C |
| 容差 | ±1% |
| 封装/外壳 | 2512（6432 公制） |
| 供应商器件封装 | 2512（6332 公制） |
| 大小/尺寸 | 0.248" L x 0.124" W（6.30mm x 3.15mm） |
| 高度 | 0.028"（0.70mm） |
| 端子数 | 2 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
CRCW25121R78FNTG相关型号
- IRF840ASTRLPBF
FET - 单
Vishay Siliconix
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
- CRCW25121R65FKEG
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2512（6432 公制）
RES 1.65 OHM 1W 1% 2512 SMD
- IRL1004PBF
FET - 单
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固定式
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International Rectifier
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
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- IRL1004STRL
FET - 单
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TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
- EXB-D10C680J
网络、阵列
Panasonic Electronic Components
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 68 OHM 8 RES 1206
- CRCW25121R65FKEGHP
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2512（6432 公制）
RES 1.65 OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- IRL1004STRR
FET - 单
International Rectifier
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
- IRF840ASTRR
FET - 单
Vishay Siliconix
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
- IHSM7832ER100L
固定式
Vishay Dale
非标准
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8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
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芯片电阻 - 表面安装
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2512（6432 公制）
RES 1.74 OHM 1W 1% 2512 SMD
- EXB-D10C680J
网络、阵列
Panasonic Electronic Components
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 68 OHM 8 RES 1206
- IRL1404ZSTRL
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1206（3216 公制），凹陷
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Panasonic Electronic Components
1206（3216 公制），凹陷
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- CRCW25121R87FNEG
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Vishay Dale
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8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
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固定式
Vishay Dale
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TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
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- CRCW2512200KJNEG
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2512（6432 公制）
RES 200K OHM 1W 5% 2512 SMD
- EXB-D10C820J
网络、阵列
Panasonic Electronic Components
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 82 OHM 8 RES 1206
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8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
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- IRF7424GTRPBF
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8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
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固定式
Vishay Dale
非标准
INDUCTOR POWER 12000UH .14A SMD
- IRF8788TRPBF
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FET - 单
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